三星大规模生产用于移动设备的第二代10nm DRAM

作者:叔孙秉

三星电子已经开始使用第二代10纳米工艺在世界上首次大规模生产移动DRAM。三星电子于1月16日宣布,将开始使用此流程批量生产16Gb(千兆位)LPDDR4X(低功耗双倍数据速率4X)移动DRAM(照片)。去年11月,三星电子大规模生产第二代10nm级8Gb DDR4服务器DRAM只用了8个月。与最新旗舰智能手机上的第一代10纳米16Gb LPDDR4X相比,第二代10纳米DRAM实现了相同的运行速度,功耗降低了10%。与第一代包装相比,厚度减少了20%以上。三星电子解释说,增加移动设备的电池使用时间并利用智能手机的内部空间是有利的。带有4个16Gb芯片的8GB DRAM封装每秒可传输34.1GB(千兆字节)的数据。 “第二代10纳米DRAM计划在平泽校园生产,因此我们有一个稳定的供应系统,因为对先进移动DRAM的需求。”我将引领记忆市场的趋势,“他说。 Jeong Pil-jae,....